Absolute Ozone板式臭氧發生器，無論您需要用于臭氧水處理的工業臭氧發生器、用于工業的商用臭氧發生器，還是高級氧化系統、半導體ALD應用，我們都能為您提供完美的解決方案。
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臭氧濃度高
臭氧濃度可(ke)達到300mg/L，是半導(dao)體、藥物合(he)成、土壤處理的理想選擇。 -
風 冷
在(zai)+40C的(de)(de)溫度下也能很好地(di)工 作(zuo)，無需支(zhi)付(fu)水(shui)，空調和空調 系(xi)統的(de)(de)費用(yong)。 -
耐高壓
20-80 PSIG可(ke)變壓(ya)力模型，是土壤(rang)修復(fu)應用或無法達到穩(wen)定氧氣壓(ya)力的理想選(xuan)擇。 -
體積小
臭(chou)氧產量在30-100g/h范圍內(nei)的 Absolute Ozone發生器的尺(chi)寸 僅(jin)為35.5*38*17.8cm。
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工業臭氧應用
在 Absolute Ozone，我們意識(shi)到(dao)在當(dang)今市場(chang)上實施先進技術的(de)(de)重(zhong)要性(xing)以(yi)(yi)及它如何使我們的(de)(de)客戶受益。Absolute Ozone? 臭氧發生器可以(yi)(yi)以(yi)(yi)高達(da)(da) 350 g/Nm3 的(de)(de)速率(lv)和高達(da)(da) 12%（重(zhong)量）的(de)(de)濃(nong)度轉化(hua)氧氣。 -
臭氧實驗室和半導體
臭(chou)(chou)氧(yang)氣體具(ju)有(you)高反應性(xing)，可以有(you)效分解(jie)多種污(wu)染物(wu)。在半導體制造(zao)中，臭(chou)(chou)氧(yang)氣體用(yong)于(yu)通過(guo)將硅(gui)晶片暴露于(yu)基(ji)于(yu)臭(chou)(chou)氧(yang)的清潔(jie)溶液來去(qu)除硅(gui)晶片表面的污(wu)染物(wu)。溶液中的臭(chou)(chou)氧(yang)與污(wu)染物(wu)發生反應并(bing)將其分解(jie)，使表面清潔(jie)無雜質(zhi)。 -
臭氧空氣和土壤修復
從(cong)氣味控(kong)制到土壤(rang)修復(fu)(fu)。臭氧技術可去除(chu)空氣中的病毒(du)、細菌(jun)、孢子和(he)許多其他污染(ran)物(wu)。最近，臭氧已被(bei)用于土壤(rang)修復(fu)(fu)，以(yi)清理(li)含有各(ge)種土壤(rang)污染(ran)物(wu)的場地。
